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VB20120C-E3中文资料
VB20120C-E3数据手册规格书PDF详情
FEATURES
· Low Forward Voltage Drop, Low Power losses
· High Efficiency Operation
· SMD
APPLICATIONS
· Switching Power Supply (SPS)
· High Frequency Converter
· DC/DC Converter
VB20120C-E3产品属性
- 类型
描述
- 型号
VB20120C-E3
- 功能描述
肖特基二极管与整流器 20 Amp 120 Volt Dual TrenchMOS
- RoHS
否
- 制造商
Skyworks Solutions, Inc.
- 产品
Schottky Diodes
- 峰值反向电压
2 V
- 正向连续电流
50 mA
- 配置
Crossover Quad
- 正向电压下降
370 mV
- 最大功率耗散
75 mW
- 工作温度范围
- 65 C to + 150 C
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
SOT-143
- 封装
Reel
更新时间：2025-8-2 15:01:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
2447 |
TO-263 |
100500 |
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TO-263AB |
6000 |
十年配单,只做原装 |
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VIS |
23+ |
TO-263AB |
6000 |
原装正品，支持实单 |
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VISHAY/威世 |
22+ |
TO-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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VIS |
22+ |
TO-263AB |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
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VIS |
25+ |
TO-263AB |
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VISHAY |
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- P101
- P102
- P103
Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
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无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年，长期致力于功率半导体器件国产化替代进口，拥有isc和iscsemi两个品牌，获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累，提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块，并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品，同时也销售
