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型号	功能描述	生产厂家&企业	LOGO	操作
VI20120S-E3/4W	High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.50VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmax.10s,per JESD22-B106 •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandin accordancetoWEEE2002/96/EC •Haloge	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体
VI20120S-E3/4W	High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier 文件：162.33 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体
VI20120S-E3/4W	封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带描述：DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO262AA 分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
V20120S-E3/4W	High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.50VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmax.10s,per JESD22-B106 •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandin accordancetoWEEE2002/96/EC •Haloge	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体
VB20120S-E3/4W	High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.50VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmax.10s,per JESD22-B106 •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandin accordancetoWEEE2002/96/EC •Haloge	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体
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VI20120S-E3/4W产品属性

类型
描述
型号
VI20120S-E3/4W
功能描述
肖特基二极管与整流器 20 Amp 120 Volt
RoHS
否
制造商
Skyworks Solutions, Inc.
产品
Schottky Diodes
峰值反向电压
2 V
正向连续电流
50 mA
配置
Crossover Quad
正向电压下降
370 mV
最大功率耗散
75 mW
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装/箱体
SOT-143
封装
Reel

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更新时间：2024-9-21 9:20:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市博浩通科技有限公司	VI20120S-E3/4W	VISHAY	23+	TO-262AA	6680	全新原装优势	询价
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