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BIDW50N65T	BIDW50N65TInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT) GeneralInformation TheBourns®ModelBIDW50N65TIGBTdevicecombinestechnologyfromaMOSgate andabipolartransistorforanoptimumcomponentforhighvoltageandhighcurrent applications.ThisdeviceusesTrench-GateField-Stoptechnologyprovidinggreater controlofdynamiccharacteris	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯伯恩斯（邦士）
FGW50N65WE	IGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.2V@IC=50A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance APPLICATIONS ·SolarConverters ·UninterruptedPowerSupply ·UPS,PFC ·WeldingConverters	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IGB50N65	IGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.7V@IC=50A ·HighSpeedSmoothSwitchingDeviceForHard &SoftSwitching APPLICATIONS ·SynchronousRectificationinSMPS ·AutomotiveChargers ·UPS,PFC ·HighVoltageAuxiliaries	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
MIW50N65F	TrenchandFieldStopIGBT650V50A Features •HighSpeedSmoothSwitchingDeviceforHardandSoftSwitching •Vce(sat)withPositiveTemperatureCoefficient •HighRuggedness,GoodThermalStability •VeryTightParameterDistribution •HalogenFree.“Green”Device(Note1) •EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating •Lead	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司
HMG50N65T	650V/50ATrenchFieldStopIGBT 文件：1.24913 Mbytes Page：8 Pages	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司

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更新时间：2024-9-22 22:24:01

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描述UTCUC3842A/3843A提供必要的功能实施脱线或DC到DC固定频率电流模式下，用最少的外部控制开关电路部件数量特点*低外部元件数量。*低启动电流（典型0.12毫安）*自动前馈补偿*脉冲通过脉冲电流限制*欠压闭锁滞后*双脉冲抑制*高电流图腾柱输出，直接驱动MOSFET*内部微调的带隙基准*500kHz的操作
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