| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NAND GATES DESCRIPTION The HCC4011B, HCC4012B and HCC4023B (extended temperature range) and HCF4011B, HCF4012B and HCF4023B (intermediate temperature range) are monolithic, integrated circuit, available in 14-lead dual in-line plastic or ceramic package and plastic micropackage. The HCC/HCF4011B, HCC/HCF40 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | ||
NAND GATES DESCRIPTION The HCC4011B, HCC4012B and HCC4023B (extended temperature range) and HCF4011B, HCF4012B and HCF4023B (intermediate temperature range) are monolithic, integrated circuit, available in 14-lead dual in-line plastic or ceramic package and plastic micropackage. The HCC/HCF4011B, HCC/HCF40 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
Dual 4-input NAND gate DESCRIPTION The HEF4012B provides the positive dual 4-input NAND function. The outputs are fully buffered for highest noise immunity and pattern insensitivity of output impedance. | PHILIPS 飞利浦 | | ||
Dual 4-input NAND gate DESCRIPTION The HEF4012B provides the positive dual 4-input NAND function. The outputs are fully buffered for highest noise immunity and pattern insensitivity of output impedance. | PHILIPS 飞利浦 | | ||
Dual 4-input NAND gate DESCRIPTION The HEF4012B provides the positive dual 4-input NAND function. The outputs are fully buffered for highest noise immunity and pattern insensitivity of output impedance. | PHILIPS 飞利浦 | |
| 替换型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
CMOS NAND Gates | INTERSIL | INTERSIL | | |
Dual 4-Input NOR(NAND) Gate | NSC 国半 | NSC | | |
Dual 4-Input NOR(NAND) Gate | NSC 国半 | NSC | | |
CMOS NAND GATES | TI 德州仪器 | TI | | |
CMOS NAND GATES | TI 德州仪器 | TI | | |
The CD4011B, CD4012B, and CD4023B types are supplied in 14-lead hermetic dual-in-line ceramic packages | TI 德州仪器 | TI | | |
NAND GATES | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | | |
NAND GATES | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | | |
Dual 4-input NAND Gate | HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司 | HITACHI | | |
Dual 4-input NAND gate | PHILIPS 飞利浦 | PHILIPS | | |
Dual 4-input NAND gate | PHILIPS 飞利浦 | PHILIPS | | |
B-Suffix Series CMOS Gates | MOTOROLA 摩托罗拉 | MOTOROLA | | |
B-Suffix Series CMOS Gates | MOTOROLA 摩托罗拉 | MOTOROLA | | |
B-Suffix Series CMOS Gates | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | | |
B−Suffix Series CMOS Gates | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | | |
COMPLEMENTARY METAL OXIDE SILICON | NTE | NTE | | |
INPUT NAND GATE | RANDE | RANDE | | |
C2MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON MONOLITHIC | TOSHIBA 东芝 | TOSHIBA | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
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PHI |
23+ |
DIP |
8650 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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PHI |
25+ |
SOP3.9 |
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PHI |
23+ |
DIP14 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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PHI |
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DIP14 |
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原装现货,优势供应,支持实单! |
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PHI |
25+ |
DIP14 |
18000 |
全新原装现货,假一赔十 |
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PHI |
23+ |
CDIP |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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PHSSEMICONDUCTOR |
2447 |
NA |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
PHI |
23+ |
DIP14 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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PHI |
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DIP14 |
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2025-8-12UPD30181AYF1-131-GA3-A 瑞智芯 只有原装
深圳市瑞智芯科技有限公司 联系人：彭先生 QQ：2851196982 直线：0755-82991809 手机：13787628849 邮箱：pc@szruizhixin.com 地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦A座6A2 型号：UPD30181AYF1-131-GA3-A 品牌：Renesas 包装：50 封装：BGA240
2021-9-3UPD720114GA-YEU-AT
UPD720114GA-YEU-AT，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-11-22UPD720114GA-9EU-A
UPD720114GA-9EU-A，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-11-22UPD16818GR-8JG-步进电机控制器/驱动器
描述 该mPD16818是单片双H桥驱动器集成电路，它使用其输出级N沟道功率MOS场效应管。通过雇用输出级的功率MOS场效应晶体管，该驱动电路的电压和饱和度大幅提高功耗比传统的驱动电路，使用双极晶体管。此外，驱动电流可以调节，在节电模式下使用外部电阻器。因此，该mPD16818作为一个两相励磁驱动电路的理想，双极步进电机驱动头执行器的一个FDD。 特征 •兼容电源电压3V-/5V- •引脚兼容与mPD16803 •低（顶部和底部的ON电阻马鞍山FET的总和）ON电阻 R
2013-2-5UPD16813-整体式双H桥驱动器电路
描述 该mPD16813是单片双H桥驱动电路，在它的驱动级功率MOS场效应管。通过补充P通道和N通道的输出级，电路电流大幅inproved相对于传统电荷泵驱动程序。该mPD16813因此作为2相励磁驱动电路的理想，双极步进电机驱动头部的一个FDD驱动器。 特征 •低（顶部和底部的ON电阻晶体管的总和）ON电阻RON的典型值=2.0瓦特。 •低电流消耗：国际直拨电话= 100 mA最大。 •降噪电路，操作时INC已关闭。 •小型表面贴装封装：16引脚SOP的塑
2013-2-5
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