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SCREWTYPESERIES

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DBLECTRODB Lectro Inc

迪贝电子迪贝电子(上海)有限公司

DBLECTRO

Long-Life,SwitchingPowerGradeRadial

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CDE

Cornell Dubilier Electronics

CDE

CeleronDProcessor

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IntelIntel Corporation(Integrated Electronics Corporation)

英特尔英特尔(集成电子公司)

Intel

ROCKERANDPADDLESWITCHES-MINIATURE

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E-SWITCH

E-Switch, Inc.

E-SWITCH

ECHOTEL짰NON-CONTACTULTRASOUND

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MAGNETROLMagnetrol International, Inc.

磁控国际磁控国际公司

MAGNETROL
更新时间:2024-6-19 22:58:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TRIMPOT
2016+
DIP-3
3500
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
西门子
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只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
HITACHI/日立
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SOP-8
100000
代理渠道/只做原装/可含税
SCS
/ROHS.original
原封
10000
电子元件,供应 -正纳电子/ 元器件IC -MOS -MCU.
bourns
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500000
行业低价,代理渠道
Honeywell(霍尼韦尔)
23+
6000
诚信服务,绝对原装原盘
Phoenix/菲尼克斯
TB2.5-L/LB I 双层双出4线DIN35
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一级代理百分百有货,原装正品现货,支持实单!
BOURNS
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原装正品长期供货,如假包赔包换 徐小姐13714450367
NXP/恩智浦
22+
TO-263
90822

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  • UPD30181AYF1-131-GA3-A 瑞智芯 只有原装

    深圳市瑞智芯科技有限公司 联系人:彭先生 QQ:2851196982 直线:0755-82991809 手机:13787628849 邮箱:pc@szruizhixin.com 地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦A座6A2 型号:UPD30181AYF1-131-GA3-A 品牌:Renesas 包装:50 封装:BGA240

    2021-9-3
  • UPD720114GA-YEU-AT

    UPD720114GA-YEU-AT,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.

    2020-11-22
  • UPD720114GA-9EU-A

    UPD720114GA-9EU-A,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.

    2020-11-22
  • UPD16818GR-8JG-步进电机控制器/驱动器

    描述该mPD16818是单片双H桥驱动器集成电路,它使用其输出级N沟道功率MOS场效应管。通过雇用输出级的功率MOS场效应晶体管,该驱动电路的电压和饱和度大幅提高功耗比传统的驱动电路,使用双极晶体管。此外,驱动电流可以调节,在节电模式下使用外部电阻器。因此,该mPD16818作为一个两相励磁驱动电路的理想,双极步进电机驱动头执行器的一个FDD。特征•兼容电源电压3V-/5V-•引脚兼容与mPD16803•低(顶部和底部的ON电阻马鞍山FET的总和)ON电阻R

    2013-2-5
  • UPD16813-整体式双H桥驱动器电路

    描述该mPD16813是单片双H桥驱动电路,在它的驱动级功率MOS场效应管。通过补充P通道和N通道的输出级,电路电流大幅inproved相对于传统电荷泵驱动程序。该mPD16813因此作为2相励磁驱动电路的理想,双极步进电机驱动头部的一个FDD驱动器。特征•低(顶部和底部的ON电阻晶体管的总和)ON电阻RON的典型值=2.0瓦特。•低电流消耗:国际直拨电话=100mA最大。•降噪电路,操作时INC已关闭。•小型表面贴装封装:16引脚SOP的塑

    2013-2-5
  • UPD168116A-7通道支撑带微步脉冲输入函数H桥式驱动器

    描述该μPD168116A是一个7通道H-桥用微小阶跃函数配套脉冲输入认为A由司机CMOS控制电路和一MOS输出阶段。它能降低电流消耗和在电压亏损输出级则为常规驱动程序使用双极晶体管,多亏一个MOS工艺就业。该μPD168116A可以驱动通过输入脉冲一步进电机,使信号行数必要控制电机可以下降。包是一个56引脚WQFN,有助于降低安装面积和高度。该μPD168116A可以用来驱动两个步进马达或两个DC马达和一线圈。特征•七个H桥电路用人功率MOSFET•低电压驾驶VDD的=2.7

    2013-2-5