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UPD16803GS

MONOLITHIC DUAL H BRIDGE DRIVER CIRCUIT

DESCRIPTION The µPD16803 is a monolithic dual H bridge driver circuit which uses N-channel power MOS FETs in its driver stage. By employing the power MOS FETs for the output stage, this driver circuit has a substantially improved saturation voltage and power consumption as compared with convent

NEC

瑞萨

UPD16803GS

MOS INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES • Low ON resistance (sum of ON resistors of top and bottom transistors) RON1 = 1.5 W TYP. (VM = 5.0 V) RON2 = 2.0 W TYP. (VM = 12.0 V) • Low current consumption: IDD = 0.4 mA TYP. • Stop mode function that turns OFF all output transistors • Compact surface mount package: 20-pin plas

RENESAS

瑞萨

UPD16803GS

Intelligent Power Devices-Protected and Intelligent Power Switches

RENESAS

瑞萨

Industrial Networking

Extreme Industrial Switches can automatically connect to a Fabric Connect network via the Fabric Attach software-based feature which enables the switches to be quickly mapped as endpoints within a virtualized Fabric Connect service.

EXTREMENETWORKS

FULL FRAME CCD IMAGE SENSOR

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ONSEMI

安森美半导体

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ONSEMI

安森美半导体

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ONSEMI

安森美半导体

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ONSEMI

安森美半导体

UPD16803GS产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    UPD16803GS

  • 制造商

    NEC

  • 制造商全称

    NEC

  • 功能描述

    MONOLITHIC DUAL H BRIDGE DRIVER CIRCUIT

更新时间:2025-11-23 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
24+
NA/
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原装现货,当天可交货,原型号开票
NEC
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SOP-20P
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24+
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诚信交易大量库存现货
NEC
25+
SOP
4500
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    描述 该mPD16818是单片双H桥驱动器集成电路,它使用其输出级N沟道功率MOS场效应管。通过雇用输出级的功率MOS场效应晶体管,该驱动电路的电压和饱和度大幅提高功耗比传统的驱动电路,使用双极晶体管。此外,驱动电流可以调节,在节电模式下使用外部电阻器。因此,该mPD16818作为一个两相励磁驱动电路的理想,双极步进电机驱动头执行器的一个FDD。 特征 •兼容电源电压3V-/5V- •引脚兼容与mPD16803 •低(顶部和底部的ON电阻马鞍山FET的总和)ON电阻 R

    2013-2-5
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    描述 该μPD168116A是一个7通道H -桥用微小阶跃函数配套脉冲输入认为A由司机CMOS控制电路和一MOS输出阶段。它能降低电流消耗和在电压亏损输出级则为常规驱动程序使用双极晶体管,多亏一个MOS工艺就业。该μPD168116A可以驱动通过输入脉冲一步进电机,使信号行数必要 控制电机可以下降。 包是一个56引脚WQFN,有助于降低安装面积和高度。 该μPD168116A可以用来驱动两个步进马达或两个DC马达和一线圈。 特征 •七个H桥电路用人功率MOSFET •低电压驾驶 VDD的= 2.7

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