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UPC8179TB-E3-A

SILICONRFICLOWCURRENTAMPLIFIERFORMOBILECOMMUNICATIONS

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CEL

California Eastern Labs

CEL
UPC8179TB-E3-A

封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 包装:散装 描述:IC RF AMP GP 2.4GHZ 6SO RF/IF,射频/中频和 RFID 射频放大器

CEL

California Eastern Labs

CEL

SILICONMMICLOWCURRENTAMPLIFIERFORMOBILECOMMUNICATIONS

DESCRIPTION TheµPC8179TBisasiliconmonolithicintegratedcircuitdesignedasamplifierformobilecommunications.ThisICcanrealizelowcurrentconsumptionwithexternalchipinductorwhichcannotberealizedoninternal50ΩwidebandmatchedIC.Thislowcurrentamplifieroperateson3.0

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC

BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT

FEATURES •Lowcurrentconsumption:ICC=4.0mATYP.@VCC=3.0V •Supplyvoltage:VCC=2.4to3.3V •Highefficiency:PO(1dB)=+3.0dBmTYP.@f=1.0GHz PO(1dB)=+1.5dBmTYP.@f=1.9GHz PO(1dB)=+1.0dBmTYP.@f=2.4GHz •Powergain:GP=13.5dBTYP.@f=1.0GH

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

SILICONMMICLOWCURRENTAMPLIFIERFORMOBILECOMMUNICATIONS

文件:151.22 Kbytes Page:28 Pages

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC

UPC8179TB-E3-A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    UPC8179TB-E3-A

  • 功能描述

    射频放大器 RFIC Low Current Amp

  • RoHS

  • 制造商

    Skyworks Solutions, Inc.

  • 类型

    Low Noise Amplifier

  • 工作频率

    2.3 GHz to 2.8 GHz

  • P1dB

    18.5 dBm

  • 输出截获点

    37.5 dBm

  • 功率增益类型

    32 dB

  • 噪声系数

    0.85 dB

  • 工作电源电压

    5 V

  • 电源电流

    125 mA

  • 测试频率

    2.6 GHz

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    QFN-16

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-7-23 13:35:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CEL
23+
原厂原包
19960
只做进口原装 终端工厂免费送样
NEC
24+
SOT363
28347
只做全新原装进口现货
RENESAS/瑞萨
24+
SOT-363
60000
全新原装现货
NEC
2450+
SC70-6
6540
只做原装正品现货或订货!终端客户免费申请样品!
NEC
24+
SOT363
20000
全新原厂原装,进口正品现货,正规渠道可含税!!
RENESAS/原装
20+
SOT-363
45589
进口原装现货,假一赔十
NEC
23+
SOT363
999999
原装正品现货量大可订货
RENESAS/瑞萨
22+
SOT-363
25000
只有原装原装,支持BOM配单
NEC
24+
SOT363
18560
假一赔十全新原装现货特价供应工厂客户可放款
NEC
24+
SOT-363
5000
全新原装正品,现货销售

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    描述mPC8112TB是硅单片集成电路,第一频率下转换器设计用于蜂窝/无绳电话接收阶段。该IC组成的混频器和地方放大器。mPC8112TB功能高阻抗集电极开路输出。mPC2757TB和mPC2758TB类似的IC可提供低阻抗射极跟随输出。这些结核病后缀及晶片,体积更小比传统T后缀集成电路的封装有助于减少您的系统的大小。mPC8112TB是使用NEC公司的20GHz的FTNESAT™III硅双极工艺制造。此过程使用氮化硅钝化膜和金电极。这些材料可以从外部污染芯片表面保护防止腐蚀/迁移。因此,该IC具有优良的性能,均匀性和可靠性。应用

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