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UPC8179TB-E3-A

SILICON RFIC LOW CURRENT AMPLIFIER FOR MOBILE COMMUNICATIONS

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CEL

UPC8179TB-E3-A

封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 包装:散装 描述:IC RF AMP GP 2.4GHZ 6SO RF/IF,射频/中频和 RFID 射频放大器

CEL

BIPOLAR ANALOG INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES • Low current consumption : ICC = 4.0 mA TYP. @ VCC = 3.0 V • Supply voltage : VCC = 2.4 to 3.3 V • High efficiency : PO (1 dB) = +3.0 dBm TYP. @ f = 1.0 GHz PO (1 dB) = +1.5 dBm TYP. @ f = 1.9 GHz PO (1 dB) = +1.0 dBm TYP. @ f = 2.4 GHz • Power gain : GP = 13.5 dB TYP. @ f = 1.0 GH

RENESAS

瑞萨

SILICON MMIC LOW CURRENT AMPLIFIER FOR MOBILE COMMUNICATIONS

DESCRIPTION The µPC8179TB is a silicon monolithic integrated circuit designed as amplifier for mobile communications. This IC can realize low current consumption with external chip inductor which can not be realized on internal 50 Ω wideband matched IC. This low current amplifier operates on 3.0

NEC

瑞萨

SILICON MMIC LOW CURRENT AMPLIFIER FOR MOBILE COMMUNICATIONS

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NEC

瑞萨

UPC8179TB-E3-A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    UPC8179TB-E3-A

  • 功能描述

    射频放大器 RFIC Low Current Amp

  • RoHS

  • 制造商

    Skyworks Solutions, Inc.

  • 类型

    Low Noise Amplifier

  • 工作频率

    2.3 GHz to 2.8 GHz

  • P1dB

    18.5 dBm

  • 输出截获点

    37.5 dBm

  • 功率增益类型

    32 dB

  • 噪声系数

    0.85 dB

  • 工作电源电压

    5 V

  • 电源电流

    125 mA

  • 测试频率

    2.6 GHz

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    QFN-16

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-10-16 22:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
24+
NA/
12250
原装现货,当天可交货,原型号开票
RENESAS
20+
SOT363
49000
原装优势主营型号-可开原型号增税票
RENESAS/瑞萨
24+
NA
990000
明嘉莱只做原装正品现货
NEC
24+
SOT363
20000
全新原厂原装,进口正品现货,正规渠道可含税!!
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SOT363
2837
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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2450+
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6540
只做原装正品现货或订货!终端客户免费申请样品!
UPC8179TB-E3-A
2832
2832
RENESAS/瑞萨
2223+
SOT-363
26800
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
NEC
24+
SOT-363
5000
全新原装正品,现货销售
NEC
23+
SOT-363
30000
代理全新原装现货,价格优势

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  • UPC8112TB-IC

    描述 mPC8112TB是硅单片集成电路,第一频率下转换器设计用于蜂窝/无绳电话接收阶段。该IC组成的混频器和地方放大器。 mPC8112TB功能高阻抗集电极开路输出。 mPC2757TB和mPC2758TB类似的IC可提供低阻抗射极跟随输出。这些结核病后缀及晶片,体积更小比传统T后缀集成电路的封装有助于减少您的系统的大小。mPC8112TB是使用NEC公司的20 GHz的FT NESAT™III硅双极工艺制造。此过程使用氮化硅钝化膜和金电极。这些材料可以从外部污染芯片表面保护防止腐蚀/迁移。因此,该IC具有优良的性能,均匀性和可靠性。 应用

    2012-12-14