型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

THREE TERMINAL POSITIVE VOLTAGE REGULATORS

Features - Suitable for C-MOS, TTL, the other Digital IC's Power Supply - Internal Thermal Overload Protection - Internal Short Circuit Current Limiting - Output Current in excess of 1A

TOSHIBA

东芝

MOS INTEGRATED CIRCUIT

· External memory expansion space: 64K bytes · Minimum instruction execution time can be varied from high-speed (0.4 ms) to ultra-low-speed (122 ms) · I/O ports: 53 (N-ch open-drain: 4) · 8-bit resolution A/D converter: 8 channels · Serial interface: 2 channels · Timer: 5 channels · Supply v

RENESAS

瑞萨

MOS INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES · Serial interface : 2 channels (I2C bus mode : 1 channel) · Large on-chip ROM & RAM · External memory expansion space : 64K bytes · Minimum instruction execution time can be varied from high-speed (0.4 ms) to ultra-low-speed (122 ms) · I/O ports: 53 (N-ch open-drain : 4) · 8-bit re

RENESAS

瑞萨

26 (19/38) AWG Tinned Copper

文件:407.3 Kbytes Page:4 Pages

ALPHAWIRE

Hybrid architecture - separate GSM, WCDMA paths

文件:89.1 Kbytes Page:2 Pages

SKYWORKS

思佳讯

更新时间:2025-12-31 23:01:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
24+
NA/
3270
原厂直销,现货供应,账期支持!
TOSHIBA
10+
SOT-252
2108
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
TOSHIBA/东芝
22+
TO-252
100000
代理渠道/只做原装/可含税
TOSHIBA/东芝
24+
TO220
990000
明嘉莱只做原装正品现货
TOSHIBA
24+/25+
284
原装正品现货库存价优
TOSHIBA/东芝
专业铁帽
TO-3
67500
铁帽原装主营-可开原型号增税票
TOS
22+
TO-252
20000
公司只做原装 品质保证
TOS
2025+
TO-220
4365
全新原厂原装产品、公司现货销售
TOSHIBA
25+
SOT-252
30000
代理全新原装现货,价格优势
TOSHIBA/东芝
23+
TO252
66600
专业芯片配单原装正品假一罚十

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    描述 该mPC1093可调精密并联稳压器的热稳定性保证。输出电压可 设置之间的任何参考电压(2.495 V)和36 V值由两个外部电阻器。 这些IC可应用于开关稳压器的误差放大器。 特征 •高精度 •低温度系数 •通过两个外部电阻调节输出电压 •低动态阻抗 订购信息 型号 封装 mPC1093J 3针塑料高级督察(至- 92) mPC

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    描述 mPC317是正电压可调三端稳压器,其中有1.5一个输出电流能力。可以由两个外部电阻设置输出电压1.3 V和30 V之间的任何值。 特点 •超过1.5 A的输出电流 •芯片上的一些保护电路(过电流保护,SOA保护和热关机)。

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    描述 mPC8112TB是硅单片集成电路,第一频率下转换器设计用于蜂窝/无绳电话接收阶段。该IC组成的混频器和地方放大器。 mPC8112TB功能高阻抗集电极开路输出。 mPC2757TB和mPC2758TB类似的IC可提供低阻抗射极跟随输出。这些结核病后缀及晶片,体积更小比传统T后缀集成电路的封装有助于减少您的系统的大小。mPC8112TB是使用NEC公司的20 GHz的FT NESAT™III硅双极工艺制造。此过程使用氮化硅钝化膜和金电极。这些材料可以从外部污染芯片表面保护防止腐蚀/迁移。因此,该IC具有优良的性能,均匀性和可靠性。 应用

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