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位置：首页 > IC中文资料第5661页 > UPC2762T

UPC2762T价格

参考价格：￥1.1700

型号：UPC2762T 品牌：NEC 备注：这里有UPC2762T多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，UPC2762T批发/采购报价，UPC2762T行情走势销售排行榜，UPC2762T报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
UPC2762T

3 V, 2.9 GHz SILICON MMIC MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFIER FOR MOBILE COMMUNICATIONS

DESCRIPTION The µPC8182TB is a silicon monolithic integrated circuit designed as amplifier for mobile communications. This IC operates at 3 V. The medium output power is suitable for RF-TX of mobile communications system. FEATURES • Supply voltage: VCC = 2.7 to 3.3 V • Circuit current: ICC = 3

NEC

瑞萨

UPC2762T

3 V, WIDEBAND MEDIUM POWER SI MMIC AMPLIFIER

DESCRIPTION The UPC2762T and UPC2763T are Silicon Monolithic integrated circuits which are manufactured using the NESAT III process. The NESAT III process produces transistors with fT approaching 20 GHz. These amplifiers were designed for 900 MHz and 1.9 GHz receivers in cellular, cordless teleph

NEC

瑞萨

UPC2762T

BIPOLAR ANALOG INTEGRATED CIRCUITS

FEATURES • Supply voltage : VCC = 2.7 to 3.3 V • Medium output power : μPC2762TB; PO(1 dB) = +8.0 dBm TYP. @ f = 0.9 GHz μPC2763TB; PO(1 dB) = +9.5 dBm TYP. @ f = 0.9 GHz μPC2771TB; PO(1 dB) = +11.5 dBm TYP. @ f = 0.9 GHz • Power gain : μPC2762TB; GP = 13 dB TYP. @ f = 0.9 GHz μPC2763TB; GP

RENESAS

瑞萨

UPC2762T

BIPOLAR ANALOG INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES • Supply voltage : VCC = 2.7 to 3.3 V • Circuit current : ICC = 23.0 mA TYP. @ VCC = 3.0 V • Medium output power : PO(1dB) = +8.0 dBm TYP. @ f = 0.9 GHz PO(1dB) = +7.0 dBm TYP. @ f = 1.9 GHz PO(1dB) = +7.0 dBm TYP. @ f = 2.4 GHz • Power gain : GP = 19.0 dB TYP. @ f = 0.9 GHz GP = 2

RENESAS

瑞萨

UPC2762T

BIPOLAR ANALOG INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES • Supply voltage : VCC = 2.7 to 3.3 V • Circuit current : ICC = 30 mA TYP. @ VCC = 3.0 V • Medium output power : PO(1dB) = +9.5 dBm TYP. @ f = 0.9 GHz PO(1dB) = +9.0 dBm TYP. @ f = 1.9 GHz PO(1dB) = +8.0 dBm TYP. @ f = 2.4 GHz • Power gain : GP = 21.5 dB TYP. @ f = 0.9 GHz GP = 20.

RENESAS

瑞萨

UPC2762T

3 V, 2.9 GHz SILICON MMIC MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFIER FOR MOBILE COMMUNICATIONS

RENESAS

瑞萨

UPC2762TB

BIPOLAR ANALOG INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES • Supply voltage : VCC = 2.7 to 3.3 V • Circuit current : ICC = 23.0 mA TYP. @ VCC = 3.0 V • Medium output power : PO(1dB) = +8.0 dBm TYP. @ f = 0.9 GHz PO(1dB) = +7.0 dBm TYP. @ f = 1.9 GHz PO(1dB) = +7.0 dBm TYP. @ f = 2.4 GHz • Power gain : GP = 19.0 dB TYP. @ f = 0.9 GHz GP = 2

RENESAS

瑞萨

UPC2762TB

BIPOLAR ANALOG INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES • Supply voltage : VCC = 2.7 to 3.3 V • Circuit current : ICC = 30 mA TYP. @ VCC = 3.0 V • Medium output power : PO(1dB) = +9.5 dBm TYP. @ f = 0.9 GHz PO(1dB) = +9.0 dBm TYP. @ f = 1.9 GHz PO(1dB) = +8.0 dBm TYP. @ f = 2.4 GHz • Power gain : GP = 21.5 dB TYP. @ f = 0.9 GHz GP = 20.

RENESAS

瑞萨

UPC2762TB

BIPOLAR ANALOG INTEGRATED CIRCUITS

FEATURES • Supply voltage : VCC = 2.7 to 3.3 V • Medium output power : μPC2762TB; PO(1 dB) = +8.0 dBm TYP. @ f = 0.9 GHz μPC2763TB; PO(1 dB) = +9.5 dBm TYP. @ f = 0.9 GHz μPC2771TB; PO(1 dB) = +11.5 dBm TYP. @ f = 0.9 GHz • Power gain : μPC2762TB; GP = 13 dB TYP. @ f = 0.9 GHz μPC2763TB; GP

RENESAS

瑞萨

UPC2762TB

3 V, 2.9 GHz SILICON MMIC MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFIER FOR MOBILE COMMUNICATIONS

DESCRIPTION The µPC8182TB is a silicon monolithic integrated circuit designed as amplifier for mobile communications. This IC operates at 3 V. The medium output power is suitable for RF-TX of mobile communications system. FEATURES • Supply voltage: VCC = 2.7 to 3.3 V • Circuit current: ICC = 3

NEC

瑞萨

UPC2762TB

3 V, SUPER MINIMOLD SILICON MMIC MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFIER FOR MOBILE COMMUNICATIONS

DESCRIPTION The µPC2762TB, µPC2763TB and µPC2771TB are silicon monolithic integrated circuits designed as amplifier for mobile communications. These ICs operate at 3 V. The medium output power is suitable for RF-TX of mobile communications system. These IC is manufactured using NEC’s 20 GHz fT N

NEC

瑞萨

UPC2762TB-E3

3 V, SUPER MINIMOLD SILICON MMIC MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFIER FOR MOBILE COMMUNICATIONS

DESCRIPTION The µPC2762TB, µPC2763TB and µPC2771TB are silicon monolithic integrated circuits designed as amplifier for mobile communications. These ICs operate at 3 V. The medium output power is suitable for RF-TX of mobile communications system. These IC is manufactured using NEC’s 20 GHz fT N

NEC

瑞萨

UPC2762TB-E3

BIPOLAR ANALOG INTEGRATED CIRCUITS

FEATURES • Supply voltage : VCC = 2.7 to 3.3 V • Medium output power : μPC2762TB; PO(1 dB) = +8.0 dBm TYP. @ f = 0.9 GHz μPC2763TB; PO(1 dB) = +9.5 dBm TYP. @ f = 0.9 GHz μPC2771TB; PO(1 dB) = +11.5 dBm TYP. @ f = 0.9 GHz • Power gain : μPC2762TB; GP = 13 dB TYP. @ f = 0.9 GHz μPC2763TB; GP

RENESAS

瑞萨

UPC2762T-E3

3 V, WIDEBAND MEDIUM POWER SI MMIC AMPLIFIER

DESCRIPTION The UPC2762T and UPC2763T are Silicon Monolithic integrated circuits which are manufactured using the NESAT III process. The NESAT III process produces transistors with fT approaching 20 GHz. These amplifiers were designed for 900 MHz and 1.9 GHz receivers in cellular, cordless teleph

NEC

瑞萨

UPC2762TB

3 V, SUPER MINIMOLD MEDIUM POWER SI MMIC AMPLIFIER

文件：181.09 Kbytes Page：7 Pages

CEL

UPC2762TB

3 V, SUPER MINIMOLD SILICON MMIC MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFIER FOR MOBILE COMMUNICATIONS

文件：240.2 Kbytes Page：28 Pages

NEC

瑞萨

UPC2762TB_1

3 V, SUPER MINIMOLD SILICON MMIC MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFIER FOR MOBILE COMMUNICATIONS

文件：240.2 Kbytes Page：28 Pages

NEC

瑞萨

UPC2762TB-E3

封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：IC AMP CELL 2.7GHZ-2.9GHZ SOT363 RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器

CEL

UPC2762TB-E3

3 V, SUPER MINIMOLD SILICON MMIC MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFIER FOR MOBILE COMMUNICATIONS

RENESAS

瑞萨

UPC2762TB-E3

3 V, SUPER MINIMOLD SILICON MMIC MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFIER FOR MOBILE COMMUNICATIONS

文件：240.2 Kbytes Page：28 Pages

NEC

瑞萨

UPC2762TB-E3-A

3 V, SUPER MINIMOLD MEDIUM POWER SI MMIC AMPLIFIER

文件：181.09 Kbytes Page：7 Pages

CEL

UPC2762TB-E3-A

封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363 包装：卷带（TR） 描述：IC AMP CELL 2.7GHZ-2.9GHZ SOT363 RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器

CEL

2762

Bandpass Filter

文件：370.49 Kbytes Page：2 Pages

KR

2762S-A-HF

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

文件：1.10735 Mbytes Page：10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

AP2762I-H-HF

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件：57.4 Kbytes Page：4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP2762R-A

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件：98.81 Kbytes Page：5 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP2762R-A-HF

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件：101.21 Kbytes Page：4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

UPC2762T产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    UPC2762T

  • 制造商

    NEC

  • 制造商全称

    NEC

  • 功能描述

    3 V, WIDEBAND MEDIUM POWER SI MMIC AMPLIFIER

UPC2762T供应商更多...

更新时间：2025-12-29 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市高捷芯城科技有限公司
UPC2762TB-E3-A
Renesas(瑞萨)
24+
标准封装
9548
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
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上海意淼电子科技有限公司
UPC2762TB-E3
NEC
23+
SOT-6
20000
全新原装假一赔十
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深圳市纳艾斯科技有限公司
UPC2762T-E3
NEC
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SOT23-6
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只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
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深圳市益百分电子有限公司
UPC2762TB-E3
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SMD
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中天科工半导体（深圳）有限公司
UPC2762T-E3-A
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RENESAS/瑞萨原装特价UPC2762T-E3-A即刻询购立享优惠#长期有货
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深圳市柯尔基电子有限公司
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NEC
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深圳市华康联电子科技有限公司
UPC2762TB-E3-A
RENESAS
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谛辉(北京/上海/青岛 )电子科技有限公司
UPC2762T-E3
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深圳市豪迈兴电子有限公司
UPC2762TB-E3
NEC
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UPC2762T规格书下载地址

UPC2762T参数引脚图相关

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  • UPC324G2-E2-A

    UPC324G2-E2-A

    2022-6-6

  • UPB1509GV RENESAS/瑞萨

    www.hfxcom.com

    2021-12-9

  • UP9616Q

    UP9616Q,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.

    2020-8-7

  • UPC1093-可调节精密并联稳压器

    描述 该mPC1093可调精密并联稳压器的热稳定性保证。输出电压可 设置之间的任何参考电压（2.495 V）和36 V值由两个外部电阻器。 这些IC可应用于开关稳压器的误差放大器。 特征 •高精度 •低温度系数 •通过两个外部电阻调节输出电压 •低动态阻抗 订购信息 型号 封装 mPC1093J 3针塑料高级督察（至- 92） mPC

    2013-3-13

  • UPC317-3终端正可调稳压器

    描述 mPC317是正电压可调三端稳压器，其中有1.5一个输出电流能力。可以由两个外部电阻设置输出电压1.3 V和30 V之间的任何值。 特点 •超过1.5 A的输出电流 •芯片上的一些保护电路（过电流保护，SOA保护和热关机）。

    2013-1-9

  • UPC8112TB-IC

    描述 mPC8112TB是硅单片集成电路，第一频率下转换器设计用于蜂窝/无绳电话接收阶段。该IC组成的混频器和地方放大器。 mPC8112TB功能高阻抗集电极开路输出。 mPC2757TB和mPC2758TB类似的IC可提供低阻抗射极跟随输出。这些结核病后缀及晶片，体积更小比传统T后缀集成电路的封装有助于减少您的系统的大小。mPC8112TB是使用NEC公司的20 GHz的FT NESAT™III硅双极工艺制造。此过程使用氮化硅钝化膜和金电极。这些材料可以从外部污染芯片表面保护防止腐蚀/迁移。因此，该IC具有优良的性能，均匀性和可靠性。 应用

    2012-12-14

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