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型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2201T1MisN-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forpowermanagementapplicationsofportableequipments,suchas loadswitch. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=18.5mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=9A) RDS(on)2=27mΩMAX.(VGS=2.5V,ID=4.5A) • | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | |||
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FEMALETHREADEDSTANDOFFS [KEYSTONE] THREADEDSTANDOFFS | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商 | |||
highCurrentToroidInductors [J.W.Miller] | ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商 | |||
LowpassFilter 文件:25.92 Kbytes Page:1 Pages | KR KR Electronics, Inc. | |||
SPSTandSPDT,10AmpMomentaryContact 文件:79.7 Kbytes Page:1 Pages | grayhill Grayhill, Inc | |||
Multi-Cal-SystemEvaluationModule 文件:2.52946 Mbytes Page:35 Pages | TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI) |
UPA2201产品属性
- 类型
描述
- 型号
UPA2201
- 功能描述
MOSFET N-CH 20V VSOF-SLIM
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
-
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道,金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大)
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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NEC |
SOT23-8 |
10265 |
提供BOM表配单只做原装货值得信赖 |
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8P-VSOF |
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原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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NEC |
SMD |
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RENESAS/瑞萨 |
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UPA2201规格书下载地址
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UP9616Q,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-8-7UP9616P
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2013-1-9
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