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UPA1756G

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION This product is Dual N-Channel MOS Field Effect Transistor designed for power management application of notebook computers, and Li-ion battery application. FEATURES • Dual MOS FET chips in small package • 2.5-V gate drive type and low on-resistance RDS(on)1 = 30 mΩ MAX. (VGS

RENESAS

瑞萨

UPA1756G

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION This product is Dual N-Channel MOS Field Effect Transistor designed for power management application of notebook computers, and Li-ion battery application. FEATURES • Dual MOS FET chips in small package • 2.5-V gate drive type and low on-resistance RDS(on)1= 30 mΩ MA

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UPA1756G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    UPA1756G

  • 制造商

    NEC

  • 制造商全称

    NEC

  • 功能描述

    SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

更新时间:2025-8-13 17:02:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
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