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UPA1756G中文资料

厂家型号

UPA1756G

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230.49Kbytes

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10

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

数据手册

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生产厂商

RENESAS

UPA1756G数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

This product is Dual N-Channel MOS Field Effect

Transistor designed for power management

application of notebook computers, and Li-ion

battery application.

FEATURES

• Dual MOS FET chips in small package

• 2.5-V gate drive type and low on-resistance

RDS(on)1 = 30 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 3.0 A)

RDS(on)2 = 40 mΩ MAX. (VGS = 2.5 V, ID = 3.0 A)

• Low Ciss Ciss = 800 pF TYP.

• Built-in G-S protection diode

• Small and surface mount package (Power SOP8)

UPA1756G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    UPA1756G

  • 制造商

    NEC

  • 制造商全称

    NEC

  • 功能描述

    SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

更新时间:2025-10-22 12:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
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