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UF05N25

0.5A, 250V  N-CHANNEL  POWER MOSFET

UTC

友顺

Power Filed Effect Transistor

FEATURES ◆ Avalanche Energy Specified ◆ Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode ◆ Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits ◆ IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature

JIANGSU

长电科技

N-Channel MOSFET

文件:116.14 Kbytes Page:2 Pages

KEXIN

科信电子

更新时间:2025-12-29 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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6250
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