型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
CJU05N25

Power Filed Effect Transistor

FEATURES ◆ Avalanche Energy Specified ◆ Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode ◆ Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits ◆ IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature

JIANGSU

长电科技

N-Channel MOSFET

文件:116.14 Kbytes Page:2 Pages

KEXIN

科信电子

CJU05N25产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    CJU05N25

  • 功能描述

    MOSFET

更新时间:2025-9-29 18:28:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CJ
20+
TO-252
100
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
CJ/长电
2015
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