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KXU05N25

N-Channel MOSFET

文件:116.14 Kbytes Page:2 Pages

KEXIN

科信电子

Power Filed Effect Transistor

FEATURES ◆ Avalanche Energy Specified ◆ Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode ◆ Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits ◆ IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature

JIANGSU

长电科技

KXU05N25产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    KXU05N25

  • 制造商

    TYSEMI

  • 制造商全称

    TY Semiconductor Co., Ltd

  • 功能描述

    VDS(V) = 250V RDS(ON) 1(VGS = 10V) Drain-Source Voltage VDSS 250 V

更新时间:2025-8-12 9:48:00
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