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KXU05N25

N-ChannelMOSFET

文件:116.14 Kbytes Page:2 Pages

KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN

PowerFiledEffectTransistor

FEATURES ◆AvalancheEnergySpecified ◆Source-to-DrainDiodeRecoveryTimeComparabletoa DiscreteFastRecoveryDiode ◆DiodeisCharacterizedforUseinBridgeCircuits ◆IDSSandVDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature

JIANGSU

Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

JIANGSU

KXU05N25产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    KXU05N25

  • 制造商

    TYSEMI

  • 制造商全称

    TY Semiconductor Co., Ltd

  • 功能描述

    VDS(V) = 250V RDS(ON) 1(VGS = 10V) Drain-Source Voltage VDSS 250 V

更新时间:2024-4-25 9:36:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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