| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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U4N65ZA | N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET 文件：1.90678 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 |   | |
4 Amps, 650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 4N65 is a high voltage power MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristic. This power MOSFETis usually used in high speed switching applications includ | UTC 友顺 | | ||
Power MOSFET 文件：1.07616 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
650V N-Channel Power MOSFET 文件：2.82624 Mbytes Page：10 Pages | DYELEC 迪一电子 | | ||
Drain Current ID= 4A@ TC=25C 文件：136.78 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：607.6 Kbytes Page：7 Pages | ZSELEC 淄博圣诺 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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模块 |
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Doingter |
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2022-6-16U1825DW-高速PWM控制器
高频PWM控制IC UC1825系列最适合开关电源应用。特别注意通过比较，以最大限度地减少传播延迟和逻辑电路，同时最大限度地提高带宽和压摆率误差放大器。该控制器是专为使用在任一电流输入电压能力的模式或电压模式系统馈。保护电路包括电流限制比较器与一个1V门槛，一个TTL兼容关机端口，和一个软启动引脚这将增加一倍，作为最大占空比钳位。这种逻辑是完全提供抖动的自由运作，并禁止多个脉冲锁存输出。与为800mV的滞后欠压锁定部分保证低启动电流。在欠压锁定，输出高阻抗。这些器件具有图腾柱输出源和设计沉高容性负载的峰值电流，如门，功率MOSFET。对国家是一个高层次的设计。
2012-11-24
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