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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Features: ● Low Gate Charge for Fast Switching Application ● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss ● 100% EAS Guaranteed ● Optimized V(BR)DSS Ruggedness ● Green Device Available Description: These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS techno

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N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: BVDSS 60V RDSON (MAX.) 10mΩ ID 100A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

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N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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华之美半导体

N-Channel MOSFET

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科信电子

更新时间:2026-1-1 10:50:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM
24+
SOT-563
364623
新进库存/原装
ROHM
2023+
SOT363
50000
原装现货
ROHM/罗姆
25+
SOT563
860000
明嘉莱只做原装正品现货
FUJITSU/富士通
26+
SMD
60000
只有原装,可配单
ROHM
24+
SOT563
5000
全现原装公司现货
ROHM
23+24
SOT563
28950
专营原装正品SMD二三极管,电源IC
ROHM/罗姆
24+
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9600
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Erides
08+
4000
普通
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24+
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