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60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features VDS = 60V,ID =40A RDS(ON),14mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON),16mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Advanced Trench Technology Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Lead free product is acquired

UMW

友台半导体

60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

General Description The 40N06 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Features VDS = 60V,ID =40A RDS(ON),14mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON),16mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Advanced Trench Technology

EVVOSEMI

翊欧

Fast Switching

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ISC

无锡固电

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件:897.86 Kbytes Page:6 Pages

VBSEMI

微碧半导体

38A竊?0V N-CHANNEL MOSFET

文件:196.75 Kbytes Page:5 Pages

KIA

可易亚半导体

更新时间:2025-12-26 20:00:01
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    2025-11-21
  • TX91503

    TX91503

    2023-3-24
  • TX2SA-5V

    进口代理

    2022-10-18
  • TX25-40P-6ST-N1E

    www.58chip.com

    2022-4-28
  • TXB0102DCUR

    TXB0102DCUR,全新.当天发货或门市自取,如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一企鹅:一一七四零五二三五三,V:八七六八零五五八.

    2021-7-13
  • TX4139

    属性 参数值 商品目录 DC-DC芯片 输出电压(最小值/固定) 0.8V 输出电压(最大值) 50V 可输出电流 2A 开关工作频率 200kHz 输出类型 Adjustable 输出电压的路数 1 最小输入电压 4.5V 最大输入电压 75V

    2020-11-12