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40N06

60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features VDS = 60V,ID =40A RDS(ON),14mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON),16mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Advanced Trench Technology Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Lead free product is acquired

UMW

友台半导体

40N06

60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

General Description The 40N06 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Features VDS = 60V,ID =40A RDS(ON),14mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON),16mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Advanced Trench Technology

EVVOSEMI

翊欧

40N06

Fast Switching

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ISC

无锡固电

40N06

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

38A竊?0V N-CHANNEL MOSFET

文件:196.75 Kbytes Page:5 Pages

KIA

可易亚半导体

更新时间:2025-9-30 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
UMW/友台半导体
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