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P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES -30V,-105.5A,RDS(ON)=5.8mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. RDS(ON)=8.5mW@VGS=-4.5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CET-MOS

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES -30V,-92A,RDS(ON)=6.0mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=9.0mW@VGS=-4.5V. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CET-MOS

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES -30V,-105.5A,RDS(ON)=5.8mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. RDS(ON)=8.5mW@VGS=-4.5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CET-MOS

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■-30V,-105.5A,RDS(ON)=5.8mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=8.5mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-220&TO-263package.

CETCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES -30V,-92A,RDS(ON)=6.0mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=9.0mW@VGS=-4.5V. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CET-MOS
更新时间:2024-5-21 13:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
renesas
2023+
SOT-23
80000
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品
CET
21+
TO-252
50000
全新原装正品现货,支持订货
23+
N/A
90750
正品授权货源可靠
CET
19+
TO252
19856
原装正品现货可开13点税
CET/華瑞
22+
SOT-223
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
CET
23+
TO252
15000
全新原装现货,价格优势
CET
2020+
TO-252
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
CET/華瑞
21+ROHS
TO-252
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
台湾华瑞
19+
TO252
67803
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂;
CET
23+
TO-252
12300
全新原装真实库存含13点增值税票!

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