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CEP110P03	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-30V,-105.5A,RDS(ON)=5.8mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=8.5mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-220&TO-263package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CEP110P03	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-105.5A,RDS(ON)=5.8mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. RDS(ON)=8.5mW@VGS=-4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CEB110P03	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-105.5A,RDS(ON)=5.8mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. RDS(ON)=8.5mW@VGS=-4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CED110P03	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-92A,RDS(ON)=6.0mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=9.0mW@VGS=-4.5V. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CEU110P03	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-92A,RDS(ON)=6.0mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=9.0mW@VGS=-4.5V. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司

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更新时间：2024-6-14 19:09:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市明嘉莱科技有限公司	CEP110P03IC	CET/華瑞	24+	TO-220	156621	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市易讯博科技有限公司	CEP-1110	CUI	22+	NA	3167	加我QQ或微信咨询更多详细信息,	询价
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深圳市惊羽科技有限公司	CEP110P03	CET	24+25+/26+27+	TO-252-3	78800	一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库	询价
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深圳市正纳电子有限公司	CEP-1153	CUI DEVICES	ROHS+Original	原封阻容元件	1000000		询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	CEP1110-PS10-200	Sumida America Components Inc.	24+	-	9350	独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证	询价

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