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CEB110P03中文资料

厂家型号

CEB110P03

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4

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

数据手册

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生产厂商

CET-MOS

CEB110P03数据手册规格书PDF详情

FEATURES

-30V, -105.5A, RDS(ON) =5.8mW @VGS = -10V.

Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

TO-220 & TO-263 package.

RoHS compliant.

RDS(ON) =8.5mW @VGS = -4.5V.

更新时间:2025-10-10 10:05:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CET/華瑞
2022+
TO-263
50000
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CET/華瑞
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50000
CET/華瑞
23+
SOT-263
50000
全新原装正品现货,支持订货
CET/華瑞
22+
SOT-263
100000
代理渠道/只做原装/可含税