型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

PowerMOSFET

FEATURES •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •IsolatedCentralMountingHole •FastSwitching •EaseofParalleling •SimpleDriveRequirements •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

800VN-ChannelPowerMOSFET

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TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台湾半导体台湾半导体股份有限公司

TSC

2.5Amps,800VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheUTC3N80provideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithlowgatevoltages.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. FEATURES *RDS(ON)=3.8Ω@VGS=10V *UltraLowGateCharge(typical19nC) *LowReverseTransfer

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

3Amps,800VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET

文件:210.29 Kbytes Page:6 Pages

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

N-ChannelPowerMOSFET

文件:398.32 Kbytes Page:8 Pages

NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd

尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司

NELLSEMI

FastSwitching

文件:49.87 Kbytes Page:2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

3Amps,800VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET

文件:222.92 Kbytes Page:6 Pages

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

TSM3N80CI产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TSM3N80CI

  • 功能描述

    MOSFET 800V 3A N Channel Power Mosfet

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-5-12 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TSC/台湾半导体
24+
NA/
5163
原厂直销,现货供应,账期支持!
TSC/台湾半导体
22+
SOT-252
100000
代理渠道/只做原装/可含税
TSC
18+
TO-252
1913
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
TSC
25+
TO-252
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
T
22+
TO-220FP
25000
只做原装进口现货,专注配单
TSC/台湾半导体
20+
TO-220
32500
现货很近!原厂很远!只做原装
TSC/台湾半导体
22+
SOT-252
20000
保证原装正品,假一陪十
TSC
23+
TO-252
4413
原厂原装正品
T
22+
TO-220FP
6000
十年配单,只做原装
TSC/台湾半导体
24+
TO-252
60000

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