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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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TSG60N100CE | N-ChannelIGBTwithFRD GeneralDescription TheTSG60N100CEusingproprietarytrenchdesignandadvancedNPTtechnology,the1000VNPTIGBTofferssuperiorconductionandswitchingperformances,highavalancheruggednessandeasyparalleloperation.Thisdeviceiswellsuitedfortheresonantorsoftswitchingapplicati | TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司 |  |   |
N-ChannelIGBTwithFRD GeneralDescription TheTSG60N100CEusingproprietarytrenchdesignandadvancedNPTtechnology,the1000VNPTIGBTofferssuperiorconductionandswitchingperformances,highavalancheruggednessandeasyparalleloperation.Thisdeviceiswellsuitedfortheresonantorsoftswitchingapplicati | TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司 | | | |
NPT-TrenchIGBT 文件：682.03 Kbytes Page：7 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 |  | | |
N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology 文件：2.36038 Mbytes Page：5 Pages | DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司 |  | | |
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N-ChannelEnhancementModeMOSFET 文件：246.92 Kbytes Page：4 Pages | DACO DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD. | | | |
N-ChannelEnhancementModeMOSFET 文件：238.65 Kbytes Page：4 Pages | DACO DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD. | | |
TSG60N100CE产品属性
- 类型
描述
- 型号
TSG60N100CE
- 功能描述
IGBT 晶体管 1000V 60A IGBT
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
25+ |
SOP |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
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ST |
2020+ |
SOP16 |
2000 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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ST |
23+ |
SOP-16P |
19526 |
||||
24+ |
SOP |
6868 |
原装现货,可开13%税票 |
||||
ST |
24+ |
SOP |
16800 |
绝对原装进口现货 假一赔十 价格优势!? |
|||
ST |
24+ |
SOP |
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支持样品,原装现货,提供技术支持! |
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ST |
24+ |
SOP16 |
500000 |
行业低价,代理渠道 |
|||
N/A |
1950+ |
DIP |
6852 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
|||
ST |
23+ |
SOP |
2870 |
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|||
ST |
24+ |
SOP |
100 |
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2012-12-17
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