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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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TSG60N100CE | N-Channel IGBT with FRD General Description The TSG60N100CE using proprietary trench design andadvanced NPT technology, the 1000V NPT IGBT offers superior conduction and switching performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation.This device is well suited for the resonant or soft switching applicati | TSC 台湾半导体 |   | |
N-Channel IGBT with FRD General Description The TSG60N100CE using proprietary trench design andadvanced NPT technology, the 1000V NPT IGBT offers superior conduction and switching performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation.This device is well suited for the resonant or soft switching applicati | TSC 台湾半导体 | | ||
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TSG60N100CE产品属性
- 类型
描述
- 型号
TSG60N100CE
- 功能描述
IGBT 晶体管 1000V 60A IGBT
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2012-12-17
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