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TSG60N100CE中文资料

厂家型号

TSG60N100CE

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431.7Kbytes

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9

功能描述

N-Channel IGBT with FRD

IGBT 晶体管 1000V 60A IGBT

数据手册

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生产厂商

TSC

TSG60N100CE数据手册规格书PDF详情

General Description

The TSG60N100CE using proprietary trench design andadvanced NPT technology, the 1000V NPT IGBT offers superior conduction and switching performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation.This device is well suited for the resonant or soft switching application such as induction heating, microwave oven,etc.

Features

● 1000V NPT Trench Technology

● High Speed Switching

● Low Conduction Loss

TSG60N100CE产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TSG60N100CE

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 1000V 60A IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-29 11:10:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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