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N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

Features: ●LowGateChargeforFastSwitchingApplication ●LowRDS(ON)toMinimizeConductiveLoss ●100%EASGuaranteed ●OptimizedV(BR)DSSRuggedness ●GreenDeviceAvailable Description: TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareusingtrenchDMOStechno

ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd

爱德微爱德微(深圳)电子有限公司

ADV

N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary: BVDSS60V RDSON(MAX.)10mΩ ID100A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

EXCELLIANCE

N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

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EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

EXCELLIANCE

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

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HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司

HMSEMI

N-ChannelMOSFET

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KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
更新时间:2025-7-16 9:40:01
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    2020-12-4
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    https://hch01.114ic.com/

    2020-11-13
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    2019-11-29
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    特点•易门1切断PNP开关晶体管内部的PLL•两个不同的优化放大器在单一封装•集成的栅极保护二极管•低噪声系数,高增益•典型正向互异的31毫秒RESP28毫秒•部份内部自偏置网络芯片•更优越的交叉调制增益下降•高AGC的范围与软斜坡•主AGC控制范围从3V至0.5V的•电源电压5V(3V至7V)•SMD

    2012-12-17