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型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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SiCSchottkyBarrierDiode Applications •PowerFactorCorrection •SolarInverters •UninterruptiblePowerSupplies •DC-DCConverters Features (1)Chipdesignof3rdgeneration (2)Lowforwardvoltage:VF=1.2V(typ.) (3)Lowtotalcapacitivecharge:Qc=27nC(typ.) (4)Lowreversecurrent:IR=2.0μA(typ. | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | |||
SiCSchottkyBarrierDiode 文件:156.24 Kbytes Page:5 Pages | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | |||
SiCSchottkyBarrierDiode 文件:294.34 Kbytes Page:6 Pages | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 |
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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KEMET(基美) |
24+ |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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Toshiba |
23+ |
TO-247 |
3268 |
东芝全系列原厂正品现货 |
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FERRAZ/罗兰熔断器 |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
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Toshiba |
2025+ |
TO-220-2L |
12420 |
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24+ |
N/A |
61000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
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