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TRS10E65H中文资料

厂家型号

TRS10E65H

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432.62Kbytes

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7

功能描述

SiC Schottky Barrier Diode

数据手册

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生产厂商

TOSHIBA

TRS10E65H数据手册规格书PDF详情

Applications

• Power Factor Correction

• Solar Inverters

• Uninterruptible Power Supplies

• DC-DC Converters

Features

(1) Chip design of 3rd generation

(2) Low forward voltage : VF = 1.2 V (typ.)

(3) Low total capacitive charge: Qc = 27 nC (typ.)

(4) Low reverse current: IR = 2.0 μA (typ.)

更新时间:2025-10-17 15:22:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Toshiba
23+
TO-247
3268
东芝全系列原厂正品现货
KEMET(基美)
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