| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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TRS10E65F | SiC Schottky Barrier Diode 文件：294.34 Kbytes Page：6 Pages | TOSHIBA 东芝 |   | |
封装/外壳：TO-220-2 包装：管件 描述：DODE SCHOTTKY 650V TO220 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
SiC Schottky Barrier Diode Applications • Power Factor Correction • Solar Inverters • Uninterruptible Power Supplies • DC-DC Converters Features (1) Chip design of 3rd generation (2) Low forward voltage : VF = 1.2 V (typ.) (3) Low total capacitive charge: Qc = 27 nC (typ.) (4) Low reverse current: IR = 2.0 μA (typ. | TOSHIBA 东芝 | | ||
SiC Schottky Barrier Diode 文件：156.24 Kbytes Page：5 Pages | TOSHIBA 东芝 | |
更新时间：2025-12-12 18:30:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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