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DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 60V,20A,RDS(ON)=25mW@VGS=10V. RDS(ON)=32mW@VGS=4.5V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET-MOS

DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■60V,7.3A,RDS(ON)=26mW@VGS=10V. RDS(ON)=35mW@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■SurfacemountPackage. ■Leadfreeproductisacquired.

CETChino-Excel Technology

华瑞华瑞股份有限公司

CET

PrecisionPotentiometer/PositionSensor

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BITECHBi technologies

瑞谷拜特上海瑞谷拜特软件技术有限公司

BITECH

1.0ADualUSBHigh-SidePowerSwitch

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AIC

AIC Inc.(Advanced Industrial Computer, Inc.)

AIC

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

文件:1.53941 Mbytes Page:5 Pages

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

DOINGTER
更新时间:2025-7-15 20:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CET/華瑞
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