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MOSFETsSiliconN-channelMOS

Applications •High-EfficiencyDC-DCConverters •SwitchingVoltageRegulators •MotorDrivers Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=22nC(typ.) (3)Smalloutputcharge:Qoss=55nC(typ.) (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=2.1mΩ(typ.)(VGS=10V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

MOSFETsSiliconN-channelMOS

Applications •High-EfficiencyDC-DCConverters •SwitchingVoltageRegulators •MotorDrivers Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=12nC(typ.) (3)Smalloutputcharge:Qoss=32nC(typ.) (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=2.2mΩ(typ.)(VGS=10V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA
更新时间:2024-5-26 20:00:01
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