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Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)

1. Applications • High-Efficiency DC-DC Converters • Switching Voltage Regulators • Motor Drivers 2. Features (1) High-speed switching (2) Small gate charge: QSW = 22 nC (typ.) (3) Small output charge: Qoss = 77.5 nC (typ.) (4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.0 mΩ (typ.) (VGS

TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-12-11 14:46:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA(东芝)
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20094
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TOSHIBA/东芝
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