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TPH1R306PL1

Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)

1. Applications • High-Efficiency DC-DC Converters • Switching Voltage Regulators • Motor Drivers 2. Features (1) High-speed switching (2) Small gate charge: QSW = 22 nC (typ.) (3) Small output charge: Qoss = 77.5 nC (typ.) (4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.0 mΩ (typ.) (VGS

TOSHIBA

东芝

TPH1R306PL1

Power MOSFET (N-ch single 30V

TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-12-13 9:11:00
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