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SiliconN-channelMOS(U-MOS-H)

1.Applications •High-EfficiencyDC-DCConverters •SwitchingVoltageRegulators 2.Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=17nC(typ.) (3)Smalloutputcharge:Qoss=56nC(typ.) (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=1.0mΩ(typ.)(VGS=10V) (5)Lowl

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

MOSFETsSiliconN-channelMOS(U-MOS??H)

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TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA
更新时间:2024-5-26 17:08:01
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