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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=53A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.07Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

47A竊?00VN-CHANNELMOSFET

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KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd

可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司

KIA

600V0.07(ohm)N-channelMOSFET

文件:1.19783 Mbytes Page:10 Pages

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MGCHIP

600V0.07(ohm)N-channelMOSFET

文件:1.19783 Mbytes Page:10 Pages

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MGCHIP

600VN-ChannelMOSFET

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MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd

美普森深圳市美普森半导体有限公司

MAPLESMI
更新时间:2024-9-22 23:00:01
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