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Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBA

东芝

Power MOSFET (N-ch single VDSS 30V)

Application Scope:Mobile equipments / Notebook PCs\nPolarity:N-ch\nGeneration:U-MOSⅦ-H\nRoHS Compatible Product(s) (#):Available\nAssembly bases:日本 / 马来西亚 Drain current ID 19 A \nPower Dissipation PD 30 W \nDrain-Source voltage VDSS 30 V \nGate-Source voltage VGSS +/-20 V ;

TOSHIBA

东芝

TRANSISTOR N-CHANNEL

RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (T0-254AA) International Rectifier’s RAD-HardTM HEXFET® technology provides high performance power MOSFETs for space applications. This technology has over a decade of proven performance and reliability in satellite applications. These devices have been c

IRF

Common Mode Chokes

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FILTRAN

费尔兰特

10/100Base-TX Interface Module for PC Card Applications

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PCA

TRANSISTOR N-CHANNEL

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IRF

RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT(SMD-3)

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IRF

更新时间:2026-5-24 22:17:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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2023+
TSON8
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TOSHIBA/东芝
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20000
公司只做原装 品质保证
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TOSHIBA/东芝
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TOSHIBA/东芝原装正品TPCC8064-H即刻询购立享优惠#长期有货

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