产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOP-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 11 A
Rds On-漏源导通电阻: 16 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.9 W
通道模式: Enhancement
商标: Toshiba
配置: Single
下降时间: 3.1 ns
高度: 1.68 mm
长度: 4.9 mm
产品: MOSFET Small Signal
华富芯深圳智能 科技 有限公司
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