制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PS-8
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 8 A
Rds On-漏源导通电阻: 18 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 44.6 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 2.01 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名: U-MOSIV
系列: TPCP8107
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Toshiba
配置: Single
下降时间: 35 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 11 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 150 ns
典型接通延迟时间: 29 ns
单位重量: 17 mg
