型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
TPC8127

Silicon P Channel MOS Type (U-MOS??

Lithium Ion Battery Applications Power Management Switch Applications • Small footprint due to small and thin package • Low drain-source ON-resistance: RDS (ON)= 5 mΩ(typ.) • Low leakage current: IDSS= −10 μA (max) (VDS= −30 V) • Enhancement mode: Vth= −0.8 to −2.0 V (VDS= −10

TOSHIBA

东芝

TPC8127

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBA

东芝

TPC8127

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:992.21 Kbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

TPC8127

Power MOSFET (P-ch single)

TOSHIBA

东芝

METAL CABLE CLAMPS

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KEYSTONE

Keystone Electronics Corp.

AM8127 Clock Generator

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未分类制造商

AM8127 Clock Generator

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AM8127 Clock Generator

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TPC8127产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TPC8127

  • 功能描述

    MOSFET P-CH MOSFET -30V DC -13A -10uA 5mOhm

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-23 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持

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    技术参数 耗散功率2.13 W 静态电流4.00 mA 输出功率3.10 W 工作温度(Max)105 ℃ 工作温度(Min)-40 ℃ 耗散功率(Max)2130 mW 电源电压2.5V ~ 5.5V 封装参数 安装方式Surface Mount 引脚数8 封装PowerPad-MSOP-8 外形尺寸 封装PowerPad-MSOP-8 物理参数 工作温度-40℃ ~ 105℃ (TA) 其他 产品生命周期Active

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