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TPC8062-H	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝
TPC8062-H	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology 文件：1.10106 Mbytes Page：4 Pages	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司
TPC8062-H	MOSFETsSiliconN-ChannelMOS(U-MOS-H) 文件：228.92 Kbytes Page：9 Pages	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝
AD8062	Low-Cost,300MHzRail-to-RailAmplifiers GENERALDESCRIPTION TheAD8061/AD8062/AD8063arerail-to-railoutputvoltagefeedbackamplifiersofferingeaseofuseandlowcost.Theyhaveabandwidthandslewratetypicallyfoundincurrentfeedbackamplifiers.Allhaveawideinputcommon-modevoltagerangeandoutputvoltageswing,makin	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
8062	CommonModeChokes 文件：125.57 Kbytes Page：1 Pages	FILTRANFiltran LTD 费尔兰特
ACTF8062	SAWFilter 文件：302.92 Kbytes Page：2 Pages	ACT Advanced Crystal Technology
AD8062	LowCost,300MHzRail-to-RailAmplifiers 文件：452.93 Kbytes Page：20 Pages	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AD8062	LowCost,300MHzRail-to-RailAmplifiers 文件：530.26 Kbytes Page：20 Pages	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

TPC8062产品属性

类型
描述
型号
TPC8062
功能描述
MOSFET N-Ch 30V FET 18A 1.9W 2400pF
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
安装风格
Through Hole
封装/箱体
Max247
封装
Tube

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更新时间：2025-5-11 23:00:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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华富芯深圳智能科技有限公司
2021-11-23
TPA6211A1TDGNRQ1
技术参数耗散功率2.13W 静态电流4.00mA 输出功率3.10W 工作温度(Max)105℃ 工作温度(Min)-40℃ 耗散功率(Max)2130mW 电源电压2.5V~5.5V 封装参数安装方式SurfaceMount 引脚数8 封装PowerPad-MSOP-8 外形尺寸封装PowerPad-MSOP-8 物理参数工作温度-40℃~105℃(TA) 其他产品生命周期Active
2021-10-12
TPA6203A1GQVR
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