型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
TPC8053-H

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOS-H)

Switching Regulator Applications Motor Drive Applications DC-DC Converter Applications • Small footprint due to a small and thin package • High-speed switching • Small gate charge: QSW = 6.7 nC (typ.) • Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 14.1 mΩ (

TOSHIBA

东芝

TPC8053-H

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBA

东芝

TPC8053-H

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.41128 Mbytes Page:5 Pages

DOINGTER

杜因特

TPC8053-H

Power MOSFET (N-ch single 30V VDSS 60V)

TOSHIBA

东芝

TPC8053-H

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件:996.44 Kbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

Magnet Wire, #26 Sol BC, PUR/NYL Ins

Product Description Magnet Wire, 26AWG (Solid) Bare Copper, PUR/NYL Insulation, J-W-1177/9 MW 28-C

BELDEN

百通

1.0W Power Amplifier

Description The AN8053N is a monolithic integrated circuit designed for single channel 1W output power amplifier It is suitable for electronic musical instruments. Features Built-in 5V(8OmA) voltage regulator Built-in standby and speaker mute circuit Vcc operating range : 4.0V ~ 11.0V

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义隆电子

TPC8053-H产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TPC8053-H

  • 功能描述

    MOSFET N-CHANNEL MOS 60V 9A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-23 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
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NA/
3292
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
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十五年行业诚信经营,专注全新正品
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绝对原装正品全新进口深圳现货
TOSHIBA/东芝
24+
SOP
5000
全新原装正品,现货销售

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