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TPC8052-H	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝
TPC8052-H	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology 文件：1.38535 Mbytes Page：5 Pages	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司
TPC8052-H	N-Channel100-V(D-S)MOSFET 文件：1.7138 Mbytes Page：8 Pages	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
8052	MagnetWire,#24SolBC,PUR/NYLIns ProductDescription MagnetWire,24AWG(Solid)BareCopper,PUR/NYLInsulation,J-W-1177/9MW28-C	BELDENBelden Inc. 百通电缆设计科技有限公司
8052AH	MCS518-BITCONTROL-ORIENTEDMICROCONTROLLERS TheMCS@51controllersareoptimizedforcontrolapplications.Byte-processingandnumericaloperationsonsmalldatastructuresarefacilitatedbyavarietyoffastaddressingmodesforaccessingtheinternalRAM.Theinstructionsetprovidesaconvenientmenuof8-bitarithmeticinstructions,in	IntelIntel Corporation 英特尔
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8052	StandardThickFilmChipResistors 文件：109.32 Kbytes Page：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体
8052AH	NMOSSINGLE-CHIP8-BITMICROCONTROLLERS 文件：168.34 Kbytes Page：11 Pages	IntelIntel Corporation 英特尔

TPC8052-H产品属性

类型
描述
型号
TPC8052-H
功能描述
MOSFET N-CH MOS 40V 12A
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
安装风格
Through Hole
封装/箱体
Max247
封装
Tube

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更新时间：2025-5-11 23:00:00

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TPC8010-H 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技有限公司
2021-11-23
TPA6211A1TDGNRQ1
技术参数耗散功率2.13W 静态电流4.00mA 输出功率3.10W 工作温度(Max)105℃ 工作温度(Min)-40℃ 耗散功率(Max)2130mW 电源电压2.5V~5.5V 封装参数安装方式SurfaceMount 引脚数8 封装PowerPad-MSOP-8 外形尺寸封装PowerPad-MSOP-8 物理参数工作温度-40℃~105℃(TA) 其他产品生命周期Active
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