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N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications • Switching Voltage Regulators Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.54 Ω (typ.) (2) High forward transfer admittance: |Yfs| = 7.5 S (typ.) (3) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 650 V) (4) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1

TOSHIBA

东芝

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications • Switching Voltage Regulators Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.54 Ω (typ.) (2) High forward transfer admittance: |Yfs| = 7.5 S (typ.) (3) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 650 V) (4) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1

TOSHIBA

东芝

iscN-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

更新时间:2025-12-30 17:26:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
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TO-220
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TOSHIBA/东芝
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明嘉莱只做原装正品现货
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TOSHIBA/东芝
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TO-220F
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原装进口公司现货假一赔百
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    TK11A65D,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.

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