| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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K11A65D | MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications • Switching Voltage Regulators Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.54 Ω (typ.) (2) High forward transfer admittance: |Yfs| = 7.5 S (typ.) (3) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 650 V) (4) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 | TOSHIBA 东芝 |   | |
MOSFETs Silicon N-Channel MOS Applications • Switching Voltage Regulators Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.54 Ω (typ.) (2) High forward transfer admittance: |Yfs| = 7.5 S (typ.) (3) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 650 V) (4) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 | TOSHIBA 东芝 | | ||
iscN-Channel MOSFET Transistor 文件：288.62 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET 文件：1.07166 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：296.88 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2019-11-18
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