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K11A65D

MOSFETsSiliconN-ChannelMOS

Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.54Ω(typ.) (2)Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=7.5S(typ.) (3)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=650V) (4)Enhancementmode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

MOSFETsSiliconN-ChannelMOS

Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.54Ω(typ.) (2)Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=7.5S(typ.) (3)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=650V) (4)Enhancementmode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

iscN-ChannelMOSFETTransistor

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ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

文件:1.07166 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

iscN-ChannelMOSFETTransistor

文件:296.88 Kbytes Page:2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
更新时间:2025-7-15 14:36:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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