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DUALFORWARD-CONDUCTINGP-GATETHYRISTORSPROGRAMMABLEOVERVOLTAGEPROTECTORS

description TheTISP61511DandTISP61512Paredualforward-conductingbufferedp-gateovervoltageprotectors.TheyaredesignedtoprotectmonolithicSubscriberLineInterfaceCircuits,SLICs,againstovervoltagesonthetelephonelinecausedbylightning,acpowercontactandinduction.TheTISP

POINN

Power Innovations Ltd

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封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:THYRISTOR 100V 30A 8SOIC 电路保护 TVS - 晶闸管

ETC

知名厂家

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AUDIOSIGNALPROCESSOR

6chElectricVolumewith10InputSelector FEATURE •6chIndependentElectricVolumewithHighVoltageTransistor(97Step;0~-95dB/1dBStep,-¥,MaximumInputVoltage4Vrms) •10InputSelector •Discrete5.1chAnalogInputSwitch(2Lines) •4LinesRECOutput(BothLchandRch) •InputGai

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱电机三菱电机株式会社

Mitsubishi

5.0x7.0mm,3.0,3.3&5.0V,HCMOSorClippedSineWave,PrecisionTCXO/TCVCXO

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MTRONPTI

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TISP61511产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TISP61511

  • 功能描述

    SCR Dual P Gate Forward Conducting

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics 最大转折电流

  • IBO

    480 A 额定重复关闭状态电压

  • VDRM

    600 V

  • 关闭状态漏泄电流(在VDRM_IDRM下)

    5 uA

  • 开启状态

    RMS

  • 正向电压下降

    1.6 V

  • 栅触发电压(Vgt)

    1.3 V

  • 最大栅极峰值反向电压

    5 V

  • 栅触发电流(Igt)

    35 mA 保持电流(Ih

  • 最大值)

    75 mA

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    TO-220

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-7-12 16:19:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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