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TISP61511DR中文资料

厂家型号

TISP61511DR

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355.25Kbytes

页面数量

9

功能描述

DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS PROGRAMMABLE OVERVOLTAGE PROTECTORS

SCR Dual P Gate Forward Conducting

数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载

生产厂商

BOURNS

TISP61511DR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TISP61511DR

  • 功能描述

    SCR Dual P Gate Forward Conducting

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics 最大转折电流

  • IBO

    480 A 额定重复关闭状态电压

  • VDRM

    600 V

  • 关闭状态漏泄电流(在VDRM_IDRM下)

    5 uA

  • 开启状态

    RMS

  • 正向电压下降

    1.6 V

  • 栅触发电压(Vgt)

    1.3 V

  • 最大栅极峰值反向电压

    5 V

  • 栅触发电流(Igt)

    35 mA 保持电流(Ih

  • 最大值)

    75 mA

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    TO-220

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-27 9:24:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
BOURNS/伯恩斯
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SOP8
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