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P1dB=42.0dBmat10.7GHzto11.7GHz

FEATURES •BROADBANDINTERNALLYMATCHEDFET •HIGHPOWER P1dB=42.0dBmat10.7GHzto11.7GHz •HIGHGAIN G1dB=7.0dBat10.7GHzto11.7GHz •・LOWINTERMODULATIONDISTORTION IM3=-45dBcatPout=30.0dBm SingleCarrierLevel •HERMETICALLYSEALEDPACKAGE

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

X,Ku-BandInternallyMatchedFET

DESCRIPTION TheFLM1011-15FisapowerGaAsFETthatisinternallymatchedforstandardcommunicationbandstoprovideoptimumpowerandgainina50Ωsystem. FEATURES ・HighOutputPower:P1dB=42.0dBm(Typ.) ・HighGain:G1dB=7.0dB(Typ.) ・HighPAE:ηadd=31(Typ.) ・BroadBand:10.7

EUDYNA

Eudyna Devices Inc

EUDYNA

CHO-STRAPINSULATEDGROUNDSTRAP

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etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

etc2

GUNNDiodesCathodeHeatSink

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MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
更新时间:2025-7-17 16:14:01
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