型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MG1011-15

GUNNDiodesCathodeHeatSink

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MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi

X,Ku-BandInternallyMatchedFET

DESCRIPTION TheFLM1011-15FisapowerGaAsFETthatisinternallymatchedforstandardcommunicationbandstoprovideoptimumpowerandgainina50Ωsystem. FEATURES ・HighOutputPower:P1dB=42.0dBm(Typ.) ・HighGain:G1dB=7.0dB(Typ.) ・HighPAE:ηadd=31(Typ.) ・BroadBand:10.7

EUDYNA

Eudyna Devices Inc

EUDYNA

P1dB=42.0dBmat10.7GHzto11.7GHz

FEATURES •BROADBANDINTERNALLYMATCHEDFET •HIGHPOWER P1dB=42.0dBmat10.7GHzto11.7GHz •HIGHGAIN G1dB=7.0dBat10.7GHzto11.7GHz •・LOWINTERMODULATIONDISTORTION IM3=-45dBcatPout=30.0dBm SingleCarrierLevel •HERMETICALLYSEALEDPACKAGE

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

CHO-STRAPINSULATEDGROUNDSTRAP

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etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

etc2

MG1011-15产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MG1011-15

  • 制造商

    MICROSEMI

  • 制造商全称

    Microsemi Corporation

  • 功能描述

    GUNN Diodes Cathode Heat Sink

更新时间:2025-5-13 14:12:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ND
24+
DIP28
500000
行业低价,代理渠道
MPD
23+
DIP
13000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
MPD
23
DIP
55000
原厂渠道原装正品假一赔十
Qorvo
101
SQUARE
2
全新原装 货期两周

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