型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FLM1011-15F

X,Ku-Band Internally Matched FET

DESCRIPTION The FLM1011-15F is a power GaAs FET that is internally matched for standard communication bands to provide optimum power and gain in a 50Ω system. FEATURES ・High Output Power: P1dB=42.0dBm(Typ.) ・High Gain: G1dB=7.0dB(Typ.) ・High PAE: ηadd=31(Typ.) ・Broad Band: 10.7

EUDYNA

P1dB=42.0dBm at 10.7GHz to 11.7GHz

FEATURES • BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET • HIGH POWER P1dB= 42.0dBm at 10.7GHz to 11.7GHz • HIGH GAIN G1dB= 7.0dB at 10.7GHz to 11.7GHz • ・LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3= -45dBc at Pout= 30.0dBm Single Carrier Level • HERMETICALLY SEALED PACKAGE

TOSHIBA

东芝

CHO-STRAP INSULATED GROUND STRAP

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etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

GUNN Diodes Cathode Heat Sink

文件:210.66 Kbytes Page:4 Pages

Microsemi

美高森美

FLM1011-15F产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FLM1011-15F

  • 制造商

    SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc

  • 功能描述

    High Power GaAs FETs, X-Band, 7dB, 10.7 11.7GHz, 4000mA, Bulk

更新时间:2025-10-13 18:19:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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