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FLM1011-15F

X,Ku-BandInternallyMatchedFET

DESCRIPTION TheFLM1011-15FisapowerGaAsFETthatisinternallymatchedforstandardcommunicationbandstoprovideoptimumpowerandgainina50Ωsystem. FEATURES ・HighOutputPower:P1dB=42.0dBm(Typ.) ・HighGain:G1dB=7.0dB(Typ.) ・HighPAE:ηadd=31(Typ.) ・BroadBand:10.7

EUDYNA

Eudyna Devices Inc

EUDYNA

P1dB=42.0dBmat10.7GHzto11.7GHz

FEATURES •BROADBANDINTERNALLYMATCHEDFET •HIGHPOWER P1dB=42.0dBmat10.7GHzto11.7GHz •HIGHGAIN G1dB=7.0dBat10.7GHzto11.7GHz •・LOWINTERMODULATIONDISTORTION IM3=-45dBcatPout=30.0dBm SingleCarrierLevel •HERMETICALLYSEALEDPACKAGE

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

CHO-STRAPINSULATEDGROUNDSTRAP

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etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

etc2

GUNNDiodesCathodeHeatSink

文件:210.66 Kbytes Page:4 Pages

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi

FLM1011-15F产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FLM1011-15F

  • 制造商

    SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc

  • 功能描述

    High Power GaAs FETs, X-Band, 7dB, 10.7 11.7GHz, 4000mA, Bulk

更新时间:2025-7-14 18:39:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
EUDYNA
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23+
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EUDYNA
23+
TO-59
8510
原装正品代理渠道价格优势
SUMITOMO/EUDYNA
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SUMITOMO
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