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DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 60V,20A,RDS(ON)=25mW@VGS=10V. RDS(ON)=32mW@VGS=4.5V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET-MOS

DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■60V,7.3A,RDS(ON)=26mW@VGS=10V. RDS(ON)=35mW@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■SurfacemountPackage. ■Leadfreeproductisacquired.

CETChino-Excel Technology

华瑞华瑞股份有限公司

CET

PrecisionPotentiometer/PositionSensor

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BITECHBi technologies

瑞谷拜特上海瑞谷拜特软件技术有限公司

BITECH

1.0ADualUSBHigh-SidePowerSwitch

文件:222.44 Kbytes Page:9 Pages

AIC

AIC Inc.(Advanced Industrial Computer, Inc.)

AIC

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

文件:1.53941 Mbytes Page:5 Pages

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

DOINGTER
更新时间:2025-7-18 14:13:01
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    2019-12-14
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    TC7660H是引脚兼容的,高频率的升级行业标准的TC7660电荷泵电压转换器。它转换为+1.5V至+10V输入到相应的-1.5V至-10V的输出,使用只有两个低成本电容,无需电感器和其相关的成本,尺寸和EMI。TC7660H(而不是在120kHz频率10kHz时的TC7660),允许使用的1.0mF外部电容。振荡频率可减少(更低的电源电流的应用)通过连接从OSC接地的外部电容。TC7660H是8脚DIP和小外形在商业和扩展温度(SOIC)封装范围。TC7660H包含所有必要的电路,实施高压变频器,两个例外外部电容,这可能是廉价的1.0mF无极电容器。行动是最好的理解考虑图2显示了一

    2012-12-18